Qualcomm giới thiệu Snapdragon 820 tại Việt Nam

09:58, 23/09/2015

Ngày 22/9/2015 tại Hà Nội, Qualcomm đã tổ chức buổi họp báo giới thiệu những công nghệ mới của hãng, trong đó nổi bật là bộ vi xử lý Snapdragon 820.

Ông Thiều Phương Nam, Tổng giám đốc Qualcomm tại Việt Nam, cho biết hiện nay đã có tới 422 mạng di động ở 143 nước trên thế giới đã triển khai kết nối 4G LTE. Hiện cũng đã có 670 mạng ở 181 quốc gia đầu tư cho công nghệ 4G, trong đó có Viettel, VNPT của Việt Nam. Có thể thấy, sự phát triển của 4G LTE đã vượt xa dự báo trước đây, thậm chí đã có một số nước chuyển sang giai đoạn 4.5G, hay còn gọi là 4G+ hoặc 4G Advanced.

Qualcomm đã tích hợp modem X12 LTE mới được nâng cấp vào bộ vi xử lý Qualcomm Snapdragon 820 và qua đó, đưa công nghệ 4G LTE và Wi-Fi hàng đầu vào trong các thiết bị di động cao cấp. Bộ vi xử lý Snapdragon 820 mới đáp ứng nhu cầu chưa từng có về kết nối tốc độ siêu cao như:

Tốc độ Cat 12 (lên tới 600 Mbps) trên đường xuống (downlink)
Tốc độ Cat 13 (lên tới 150 Mbps) trên đường lên (uplink)
Ăng-ten MIMO trong cấu hình lên tới 4x4 trên một sóng mang LTE downlink

Ngoài ra, X12 còn có khả năng:

Hỗ trợ kết nối đột phá trong bằng tần không cấp phép
Dịch vụ toàn diện trên tất cả các loại kết nối. Gọi điện thoại và điện thoại video thông qua mạng LTE và Wi-Fi.
Nhiều sáng tạo trong phần RF font end.
Cho phép chia sẻ ăng-ten giữa mạng LTE và Wi-Fi.

pqj4A1WW 3spSHcbsBvh Zz8Ac5oauZzeMC1oAx NAo

Ông Thiều Phương Nam tại buổi họp báo

Ngoài ra, trong buổi họp báo, Qualcomm giới thiệu công nghệ sạc pin nhanh thế hệ mới – công nghệ Quick Charge 3.0.

Quick Charge 3.0 là thế hệ thứ ba của công nghệ này và là công nghệ đầu tiên ứng dụng thuật toán mới INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage – Trao đổi Thông minh để lựa chọn Điện áp Tối ưu), một thuật toán mới được QTI phát triển và được thiết kế để cho phép các thiết bị cầm tay có được khả năng xác định việc cần yêu cầu mức độ công suất nào ở những thời điểm khác nhau để đảm bảo hiệu quả truyền tải công suất điện tối ưu trong khi vẫn đạt được hiệu suất cao nhất. Với Quick Charge 3.0 bạn có thể sạc pin cho một chiếc điện thoại di động từ mức 0% lên 80% trong vòng khoảng 35 phút trong khi những thiết bị di động thông thường không được trang bị công nghệ Quick Charge phải mất tới một giờ rưỡi.

Với INOV và nhiều cải tiến khác, Quick Charge 3.0 được thiết kế để đạt được hiệu quả cao hơn tới 38% so với Quick Charge 2.0 đồng thời triển khai thêm nhiều bước để bảo vệ tuổi thọ của viên pin. Ngoài ra, khi được sử dụng với các cấu hình sạc điện song song mới và tiên tiến nhất của Qualcomm Technologies, Quick Charge 3.0 có thể:

Góp phần đẩy nhanh tốc độ sạc pin tới 27% hoặc giảm mức độ tiêu tán năng lượng do nhiệt tới 45% so với Quick Charge 2.0.
Tốc độ sạc pin nhanh hơn tới 2 lần so với Quick Charge 1.0

Các bộ vi xử lý Snapdragon của Qualcomm dự kiến có mặt trên các thiết bị di động được ra mắt vào năm tới.