Các công ty bộ nhớ Trung Quốc thách thức vị thế thống trị của Hàn Quốc

Việc các công ty Trung Quốc đẩy mạnh mở rộng sản xuất được dự báo sẽ tạo sức ép với Samsung và SK Hynix trong dài hạn...

Ảnh minh hoạ tạo bởi AI.

Nhà sản xuất DRAM Trung Quốc ChangXin Memory Technologies (CXMT) ngày 28 vừa qua cho biết doanh thu trong nửa đầu năm nay đạt 150,3 tỷ nhân dân tệ Trung Quốc (khoảng 22,36 tỷ USD), tăng 874% so với cùng kỳ năm ngoái, vượt hơn gấp đôi doanh thu cả năm trước đó.

Lợi nhuận ròng của công ty cũng chuyển từ lỗ trong nửa đầu năm ngoái sang mức 77,6 tỷ nhân dân tệ (11,5 tỷ USD) trong nửa đầu năm nay.

Trong bối cảnh các nhà sản xuất lớn như Samsung Electronics và SK Hynix tập trung năng lực sản xuất vào bộ nhớ băng thông cao (HBM) và DRAM tiên tiến để đáp ứng làn sóng đầu tư vào AI, thì CXMT lại hưởng lợi từ tình trạng thiếu hụt nghiêm trọng nguồn cung DRAM phổ thông.

Nhờ đó, CXMT có thể bán các chip4 bộ nhớ công nghệ thế hệ cũ với mức giá cao hơn nhiều lần so với trước đây.

Trong lĩnh vực bộ nhớ flash NAND, Yangtze Memory Technologies (YMTC) cũng đang nhanh chóng gia tăng thị phần và thu hẹp khoảng cách với Samsung Electronics và SK Hynix.

Động lực chính đến từ nhu cầu tăng mạnh đối với ổ SSD dành cho doanh nghiệp, nhờ các khoản đầu tư vào trung tâm dữ liệu phục vụ AI ngày càng mở rộng.

Từng tập trung chủ yếu vào các dòng bộ nhớ phổ thông, các doanh nghiệp bộ nhớ Trung Quốc hiện tận dụng dòng tiền lớn từ đà tăng trưởng của thị trường, cùng nguồn vốn huy động qua thị trường chứng khoán, để mở rộng sản xuất và đẩy mạnh phát triển các công nghệ bộ nhớ tiên tiến.

Tờ Chosun của Hàn Quốc nhận định điều này làm gia tăng cảnh báo các công ty Trung Quốc có thể sớm thách thức vị thế thống trị của các doanh nghiệp Hàn Quốc trong phân khúc bộ nhớ có giá trị cao.

CXMT hiện vận hành ba nhà máy sản xuất DRAM tại Trung Quốc và có kế hoạch xây dựng thêm ba nhà máy. Nếu kế hoạch được triển khai, công suất sản xuất tính theo số tấm wafer sẽ tăng từ mức 300.000 tấm hiện nay lên hơn 600.000 tấm vào năm 2030.

Nếu đạt được mức công suất này, thị phần DRAM của CXMT, từng ở mức 8% vào năm ngoái, có thể tăng lên 11% vào năm 2028 và 15% vào năm 2030. Khi đó, cấu trúc thị trường DRAM vốn từ lâu do Samsung Electronics, SK Hynix và Micron chi phối có thể bị thay đổi đáng kể.

Năng lực công nghệ của CXMT cũng đang phát triển nhanh chóng. Ngày 29 vừa qua, công ty thông báo trên Weibo rằng đã bắt đầu sản xuất hàng loạt "LPDDR6", dòng DRAM di động tiết kiệm điện thế hệ mới.

LPDDR6 là tiêu chuẩn DRAM thế hệ thứ sáu, được sử dụng trong điện thoại thông minh và máy chủ AI. Samsung và SK Hynix dự kiến cũng sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt loại bộ nhớ này vào cuối năm nay.

CXMT đồng thời đang phát triển HBM dành cho các bộ tăng tốc AI của Trung Quốc. Với những tập đoàn đầu tư lớn vào AI như Tencent, ByteDance và Alibaba là khách hàng, công ty có thể nhanh chóng tiến tới thử nghiệm và bán hàng với quy mô lớn ngay sau khi hoàn thiện công nghệ bộ nhớ tiên tiến.

Bước tiến của YMTC trong lĩnh vực bộ nhớ flash NAND thậm chí còn mạnh mẽ hơn. Theo Counterpoint Research, trong quý 2, YMTC chiếm khoảng 14% thị trường NAND toàn cầu, lần đầu tiên vượt qua Kioxia của Nhật Bản để vươn lên vị trí thứ ba.

Dù vẫn đứng sau Samsung với 25% thị phần và SK Hynix với 22%, YMTC đã tuyên bố trong quá trình chuẩn bị niêm yết cổ phiếu gần đây rằng mục tiêu của công ty là vượt qua cả hai doanh nghiệp này về thị phần vào cuối năm tới.

Để đạt mục tiêu đó, YMTC sẽ phải gần như tăng gấp đôi lượng sản phẩm xuất xưởng chỉ trong một năm để bắt kịp quy mô của Samsung.

Dù vậy, một số nhà phân tích cho rằng trong ngắn hạn, các công ty Trung Quốc vẫn sẽ gặp khó khăn trong việc bắt kịp Hàn Quốc ở những phân khúc bộ nhớ tiên tiến như HBM.

CXMT đang chịu các hạn chế nhập khẩu thiết bị sản xuất tiên tiến, trong đó có máy quang khắc EUV. Hiện nay, công ty sản xuất các dòng DRAM tiên tiến bằng thiết bị DUV, công nghệ thấp hơn một thế hệ so với EUV.

Việc phải sử dụng thiết bị DUV khiến quy trình sản xuất trở nên phức tạp, đồng thời cũng khiến CXMT gặp bất lợi về chi phí và tỷ lệ sản phẩm đạt tiêu chuẩn.

Trong khi đó, sản xuất HBM đòi hỏi năng lực công nghệ cao hơn sản xuất DRAM thông thường, chẳng hạn công nghệ TSV (xuyên qua silicon) để tạo các lỗ siêu nhỏ xuyên qua lớp silicon và công nghệ đóng gói tiên tiến.

Theo các đánh giá, sự tăng trưởng nhanh chóng của các công ty bộ nhớ Trung Quốc chắc chắn đang tạo sức ép lên các ông lớn Hàn Quốc. Tuy nhiên, để vượt qua những rào cản về thiết bị và tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn trong các dòng sản phẩm tiên tiến, nhiều khả năng các doanh nghiệp này vẫn cần thêm thời gian đáng kể.