Những chiếc USB kém chất lượng được bán ra thị trường

Một chuyên gia khôi phục dữ liệu người Đức đã xác nhận: Thẻ nhớ USB đang ngày càng kém tin cậy hơn. Nguyên nhân được cho là do chip bộ nhớ kém hơn, trong khi việc chuyển sang lưu trữ nhiều bit trên mỗi ô flash ảnh hưởng đến chất lượng của thẻ nhớ.

Công ty chuyên cung cấp dịch vụ khôi phục dữ liệu CBL Data Recovery đã đưa ra đánh giá rằng chất lượng của các thành phần bộ nhớ mới hơn trong thẻ nhớ microSD và USB đang giảm sút, đồng thời cho biết các thẻ nhớ USB có logo của nhà sản xuất NAND đã bị xóa khỏi chip đang ngày càng xuất hiện nhiều hơn trong phòng thí nghiệm khôi phục dữ liệu của họ.

Họ nghi ngờ rằng các chip flash từ các nhà sản xuất như SK hynix, Sandisk hay Samsung không đạt yêu cầu kiểm tra chất lượng đang được bán lại ra thị trường nhưng được đánh dấu là linh kiện có dung lượng bộ nhớ thấp hơn.

“Khi chúng tôi mở các thanh USB bị lỗi vào năm ngoái, chúng tôi phát hiện một số lượng đáng báo động các chip nhớ kém chất lượng với dung lượng bị giảm và logo của nhà sản xuất đã bị xóa khỏi chip”, Giám đốc điều hành CBL Conrad Heinicke viết.

Heinicke cho biết, nhiều chiếc USB thực sự có chứa thẻ nhớ microSD được gắn trên bảng mạch và được quản lý bởi một chip điều khiển bên ngoài. Ông cho biết, trong khi những chiếc USB như thế này hầu hết là quà tặng khuyến mãi, thì cũng có những sản phẩm có thương hiệu trong số đó và nói thêm: “Bạn không nên quá tin tưởng vào độ tin cậy của bộ nhớ flash”.

Quan điểm của Heinicke là việc áp dụng các cấu trúc ô đa cấp, trong đó một ô nhớ bị ép lưu trữ nhiều hơn chỉ một bit bằng cách thay đổi điện áp, cũng đã làm tình hình trở nên trầm trọng hơn. Ví dụ, với các ô bốn cấp (QLC), bốn bit được lưu trữ trên mỗi ô, điều đó có nghĩa là phải phân biệt 16 trạng thái khác nhau.

Cách làm này được các nhà sản xuất flash NAND chọn vì nó mang lại mật độ lưu trữ lớn hơn, nghĩa là ổ đĩa có dung lượng cao hơn và chi phí trên mỗi GB thấp hơn. Nhưng nó cũng có ảnh hưởng đối với độ hao mòn hoặc tuổi thọ của ô nhớ.

Ông viết: “Nhược điểm của sự thành công trong việc tăng mật độ lưu trữ là khả năng ghi (độ bền) và dung lượng lưu trữ (lưu giữ) giảm”. “Điều này có nghĩa là số chu kỳ đọc/ghi tối đa có thể giảm đi và nguy cơ tăng lên là sự chênh lệch điện tích, được đọc dưới dạng bit, không thể đọc được do lớp cách điện giữ các điện tích này đã già đi”.

Theo trang web Blocks & Files (blocksandfiles.com), một ô đơn cấp hỗ trợ khoảng 100.000 chu kỳ trong khi một ô MLC (2 bit) sẽ hết sau khoảng 10.000 chu kỳ, một ô ba cấp được giới hạn ở 3.000 chu kỳ và QLC hỗ trợ khoảng 1.200 chu kỳ. Các ô cấp độ penta sắp tới (5 bit trên mỗi ô) có thể có ít hơn 600 chu kỳ.

Heinicke nói: “Ngay cả với những chip nhớ chất lượng cao, nỗ lực mà các nhà sản xuất phải bỏ ra để tạo ra cơ chế sửa lỗi trong bộ điều khiển là rất lớn. Không có gì ngạc nhiên khi việc mất dữ liệu xảy ra với những chiếc USB chứa chip đã ngừng hoạt động”.

Ông đã đăng một số lời khuyên cho người dùng flash. Nếu bạn thường xuyên ghi và xóa dữ liệu trên thẻ nhớ USB, chẳng hạn như khi sử dụng chúng làm thiết bị sao lưu chẳng hạn, bạn nên sử dụng luân phiên nhiều thẻ nhớ.

Nếu phương tiện flash được sử dụng để lưu trữ bất cứ thứ gì trong thời gian dài, hãy sử dụng phần cứng lưu trữ chất lượng cao và giữ nó ở nơi mát vì nhiệt độ cao có thể đẩy nhanh quá trình mất dữ liệu.

Bộ lưu trữ flash phải được truy cập hàng năm hoặc nửa năm một lần, vì điều này cho phép các cơ chế sửa lỗi sao chép nội bộ dữ liệu "mờ dần" và các thiết bị không nên bị chép đầy dữ liệu – việc để lại không gian chưa phân bổ cho phép cơ chế sửa lỗi và bảo trì dữ liệu nội bộ hoạt động lâu hơn.

Theo Tạp chí An toàn thông tin

https://antoanthongtin.vn/an-toan-thong-tin/nhung-chiec-usb-kem-chat-luong-duoc-ban-ra-thi-truong-109877